Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников, 2600 Вильнюс, Литва ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотолюминесценция в пористом кремнии при интенсивном лазерном возбуждении

Шатковский Е., Верцинский Я.

Шатковский Е., Верцинский Я. Фотолюминесценция в пористом кремнии при интенсивном лазерном возбуждении // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 593

Аннотация Исследована интегральная фотолюминесценция в пористом кремнии p-типа при интенсивном возбуждении импульсами второй гармоники (lambda=532 нм) лазера на АИГ : Nd3+. Установлено, что в области интенсивностей, соответствующих условиям квазистационарного возбуждения, излучение характеризуется степенной зависимостью Irad~ I2/3. С ростом интенсивности возбуждения квантовый выход beta падает ~ I-1/3. Показано, что основное излучение пористого кремния вызвано бимолекулярным рекомбинационным процессом.