Профиль » Публикация
Опубликовано
1997-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Поляризационная анизотропия оптических межзонных переходов внапряженных InGaAs/GaAs квантовых нитях
Гуревич С.А., Закгейм Д.А., Соловьев С.А. Поляризационная анизотропия оптических межзонных переходов внапряженных InGaAs/GaAs квантовых нитях // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 600
Аннотация
Исследуются оптические свойства напряженных квантовых нитей, связанные с неоднородностью распределения упругих деформаций внутри нитей и в окружающем материале барьера. Для расчета этого распределения используется аналитическое приближение. Показывается, что как коротковолновый сдвиг фотолюминесценции, так и ее поляризационная анизотропия в направлении нормали к плоскости нитей в основном определяются отличием упругих деформаций от биаксиальных. Этот вывод подтверждается сравнением расчетных спектров поляризационно-зависимой фотолюминесценции с экспериментальными данными, полученными на InGaAs/GaAs квантовых нитях прямоугольного сечения размером7x 60 нм.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален