Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияСаратовский государственный университет, Саратов, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Эффект положительного магнитосопротивления в пленках ферромагнитного полупроводникаEu1-xSmxO

Кабанов В.Ф., Свердлова А.М.

Кабанов В.Ф., Свердлова А.М. Эффект положительного магнитосопротивления в пленках ферромагнитного полупроводникаEu1-xSmxO // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 626

Аннотация Рассмотрен эффект положительного магнитосопротивления в пленке ферромагнитного полупроводника Eu1-xSmxO, который не является характерным для данного класса материалов. Исследовано влияние на эффект положительного магнитосопротивления внешних магнитного и электрического полей, температуры. Показано, что величина магнитосопротивления Deltarho/rho0 определяется рассеянием свободных носителей заряда на пространственных флуктуациях намагниченности, которые обусловлены неравномерным распределением дефектов в структурно-неупорядоченной системе (квазиаморфная пленка).