Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Излучательная рекомбинация на гетерограницеIIтипа вразъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs приимпульсном возбуждении

Баженов Н.Л., Зегря Г.Г., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Смирнов В.А., Соловьева О.Ю., Яковлев Ю.П.

Баженов Н.Л., Зегря Г.Г., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Смирнов В.А., Соловьева О.Ю., Яковлев Ю.П. Излучательная рекомбинация на гетерограницеIIтипа вразъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs приимпульсном возбуждении // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 658

Аннотация При T=77 K исследована электролюминесценция в разъединенной одиночной гетероструктуре IIтипа p-GaInAsSb/ p-InAs при импульсном возбуждении. Показано, что так же, как и при возбуждении постоянным током, в спектрах наблюдаются две полосы излучения с максимумами, соответствующими энергиям 384 и 311 мэВ соответственно. Полуширина полос излучения составляет 18--19 мэВ. С помощью методики спектроскопии временного разрешения оценено время релаксации неравновесных носитетелей, которое составляло 6--7 мкс. Рассчитан спектр излучения в рамках модели Кейна и проведена оценка времени излучательной рекомбинации. Теоретические оценки находятся в разумном согласии с экспериментом.