Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут ядерной физики академии наук Узбекистана 702132 Улугбек, Узбекистан ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Об особенностях радиационного дефектообразования вp-Si&lt; B,Pt&gt;

Юнусов М.С., Каримов М., Аликулов М., Ахмадалиев А., Оксенгендлер Б.Л., Сабиров С.С.

Юнусов М.С., Каримов М., Аликулов М., Ахмадалиев А., Оксенгендлер Б.Л., Сабиров С.С. Об особенностях радиационного дефектообразования вp-Si< B,Pt> // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 722

Аннотация Обсуждаются результаты исследования радиационного дефектообразования в p-Si<B,Pt> методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Показано существенное влияние наличия исходной примесиB иPt на эффективность образования радиационных центров (особенно с энергией Ev+0.36эВ). Это явление объясняется наличием в p-Si<B,Pt> электрически нейтральных комплексов <собственный межузельный атом>--примесь, которые в процессе gamma-облучения, эффективно распадаясь, влияют на характер квазихимиеских реакций радиационного дефектообразования.