Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики им. Х.И.Амирханова, Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Пробой барьера Шоттки в Si, стимулированный дрейфом экситонов внеоднородном электрическом поле при 4.2K

Мусаев А.М.

Мусаев А.М. Пробой барьера Шоттки в Si, стимулированный дрейфом экситонов внеоднородном электрическом поле при 4.2K // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 724

Аннотация Приводятся результаты экспериментального обнаружения и исследования механизма стимулирования пробоя барьера Шоттки на кремнии, фотовозбужденного в сильных электрических полях при T=4.2K. Исследовано влияние интенсивности фотовозбуждения, величины электрического поля, а также влияние времени их взаимной задержки на механизм пробоя барьера. На основе анализа результатов показано, что пробой барьера Шоттки связан с сужением ширины области пространственного заряда вследствие дрейфа экситонов в неоднородном электрическом поле и рекомбинации электронов на ионизированных примесных уровнях барьера.