Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияЦентральный научно-исследовательский институт "Электрон", 194223 Санкт-Петербург, Россия *Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Квантовая эффективность фотодиодов сбарьером Шоттки вблизи длинноволновой границы
Иванов В.Г., Панасенков В.И., Иванов Г.В.
Иванов В.Г., Панасенков В.И., Иванов Г.В. Квантовая эффективность фотодиодов сбарьером Шоттки вблизи длинноволновой границы // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 735
Аннотация Исследована спектральная зависимость фотоэмиссии горячих электронов через барьер Шоттки силицид металла--креминй при энергиях фотонов, сравнимых с высотой барьера. В диффузионном приближении с использованием метода функций Грина получено выражение для спектральной зависимости квантовой эффективности фотоэмиссии при различных соотношениях толщины слоя(d) и длин свободного пробега горячих электронов для упругих (Lp) и неупругих (Le) столкновений. Обнаружено сильное влияние отношения Le/d на рост величины и форму спектральной зависимости квантовой эффективности, существенно отклоняющуюся от фаулеровской при возрастании квантовой эффективности. Для силицидовPt, Co иGe показано удовлетворительное согласие теоретической и экспериментальных спектральных зависимостей квантовой эффективности, позволяющее в ряде случаев оценивать величину Le в эксперименте и оптимизировать технологию получения барьера Шоттки для инфракрасных приемников. Обсуждаются причины аномально резкого увеличения фотоэмиссии горячих электронов с ростом энергии возбуждающего кванта при энергиях, близких к потенциальной энергии барьера Шоттки.
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален