Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут фотоэлектроники Академии наук Азербайджана, 370141 Баку, Азербайджан *ТУБИТАК, Мармара Исследовательский Центр, 41470 Гебзе, Турция ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности фотопроводимости CdxHg1-xTe (x=0.2/ 0.3) стонкопленочным алюминиевым покрытием

Салаев Э.Ю., Гусейнов Э.К., Тезер Атеш, Исмайлов Н.Д.

Салаев Э.Ю., Гусейнов Э.К., Тезер Атеш, Исмайлов Н.Д. Особенности фотопроводимости CdxHg1-xTe (x=0.2/ 0.3) стонкопленочным алюминиевым покрытием // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 740

Аннотация Приведены результаты экспериментального исследования фотопроводимости n- и p-CdxHg1-xTe (x=0.2/0.3) при нанесении на поверхность тонких пленок алюминия. Анализ полученных результатов проведен с учетом влияния приповерхностной области пространственного заряда и рекомбинации в ней. Из измерений фотопроводимости и барьерного фототока определены значения скорости поверхностной рекомбинации и поверхностной подвижности носителей заряда.