Профиль » Публикация

Аннотация Развит метод исследования эффекта Френкеля--Пула, основанный на измерении термостимулированной проводимости слабо компенсированного полупроводника, легированного глубокой примесью, в котором также содержится более мелкая, чем основная, сопутствующая примесь. Приводятся результаты исследования термоситмулированной проводимости образцов Si : Ga с концентрацией галлия NA=(2-3)·1018 см-3 и низким содержанием сопутствующей примеси (=<1013 см-3). Проводимость измерялась после примесного фотовозбуждения образцов при нагреве их со скоростью beta=0.6 K/с в диапазоне температур T=4.2/24 K в электрических полях E=200/1000 В/см. Показано, что максимум на кривых термостимулированной проводимости обусловлен термостимулированным опустошением сопутствующей примеси бора и сдвигается в область более низких значений T с увеличением поляE. По сдвигу максимума найденное уменьшение энергии ионизации примесиB в электрическом поле, которое оказывается несколько слабее, чем следует из модели Френкеля--Пула для однозарядных кулоновских центров.