Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияКазанский физико-технический институт Российской академии наук, 420029 Казань, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние последовательной имплантации ионов Ag+(Cu+) иXe+ нарекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe

Ибрагимова М.И., Барышев Н.С., Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б.

Ибрагимова М.И., Барышев Н.С., Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б. Влияние последовательной имплантации ионов Ag+(Cu+) иXe+ нарекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 786

Аннотация Исследовано влияние двойной последовательной имплантации ионов Ag+ (Cu+) и Xe+ на рекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe (0.2