Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияКазанский физико-технический институт при Казанском научном центре Российской академии наук,420029 Казань, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности комбинационного рассеяния света вкремнии, легированном большими дозами криптона

Галяутдинов М.Ф., Курбатова Н.В., Моисеев С.А., Штырков Е.И.

Галяутдинов М.Ф., Курбатова Н.В., Моисеев С.А., Штырков Е.И. Особенности комбинационного рассеяния света вкремнии, легированном большими дозами криптона // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 790

Аннотация Экспериментально обнаружен высокочастотный сдвиг 20 см-1 в спектре комбинационного рассеяния света кремния, имплантированного ионами криптона. На основе данных комбинационного рассеяния света, полученных при различных режимах имплантации Kr+ и лазерного отжига, исследована динамика трансформации микроскопической структуры приповерхностного слоя кремния. Полученные экспериментальные данные хорошо объясняются наличием локальных механических напряжений (~40 кбар), связанных с присутствием тяжелых инертных атомов Kr в узлах решетки.