Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Продольный фотоэффект в p-n-переходах на основе In0.53Ga0.47As

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В.

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. Продольный фотоэффект в p-n-переходах на основе In0.53Ga0.47As // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 864

Аннотация Исследован продольный фотоэффект в p-n-переходах на основе In0.53Ga0.47As: зависимости продольной фотоэдс Vph l от координаты светового пятна, температуры и магнитного поля. Получены линейные зависимости от координаты светового пятна, наблюдается согласие экспериментальных и теоретических значений Vph l. Температурный ход Vph l в интервале 100/ 300 K объяснен изменением подвижности носителей тока, обусловленным тепловым рассеянием на решетке. В магнитном поле наблюдается рост Vph l вследствие фотомагнитного эффекта.