Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *CEGELY-INSA, Lyon, France ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Глубокие центры и отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основе SiC

Лебедев А.А., Ортоланд С., Реноуд К., Локателли М.Л., Плансон Д., Шант Ж.П.

Лебедев А.А., Ортоланд С., Реноуд К., Локателли М.Л., Плансон Д., Шант Ж.П. Глубокие центры и отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основе SiC // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 866

Аннотация Исследован температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основе 6H-SiC. Показано, что температурная зависимость напряжения пробоя может быть объяснена перезарядкой глубоких акцепторных уровней в слое объемного заряда. Результаты проведенных расчетов находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными, полученными для легированных бором p-n-структур на основе 6H-SiC.