Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизический институт им.П.Н.Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия *Научно-исследовательский технологический институт, 390011 Рязань, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотогальванический эффект в асимметричной наноструктуре GaAs/AlGaAs при лазерном возбуждении

Кучеренко И.В., Водопьянов Л.К., Кадушкин В.И.

Кучеренко И.В., Водопьянов Л.К., Кадушкин В.И. Фотогальванический эффект в асимметричной наноструктуре GaAs/AlGaAs при лазерном возбуждении // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 872

Аннотация Обнаружен фототок в структуре GaAs / GaAlAs с тремя асимметричными квантовыми ямами в магнитном поле H, параллельном поверхности образца, при облучении его квазинепрерывным лазером с lambda=1.065 мкм. Ток протекает в плоскости слоев перпендикулярно магнитному полю. Его величина возрастает с ростом H, при коммутации магнитного поля знак фототока изменяется. Эффект объяснен на основании модели о несимметричной структуре электронных волновых функций в магнитом поле.