Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут общей физики Российской академии наук, 117942 Москва, Россия *Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование экситонных характеристик слоистых гетероструктур сквантованным спектром приналичии рельефной поверхности

Авруцкий И.А., Литовченко В.Г.

Авруцкий И.А., Литовченко В.Г. Исследование экситонных характеристик слоистых гетероструктур сквантованным спектром приналичии рельефной поверхности // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 875

Аннотация Проведено исследование экситонных характеристик гетероструктур InxGaAs1-x-GaAs в квантовыми ямами при наличии рельефной поверхности. Последняя обеспечивает существенную (до20%) поляризацию экситонных спектров уже при нормальном угле падения возбуждающего света. На основании данных по фононным повторениям спектров фотолюминесценции рассчитаны величины энергии связи экситонов, значения которых хорошо согласуются с теоретическими расчетами. Исходя из величин поляризации фотолюминесценции, отражения и пропускания проведены оценки параметров микрорельефа поверхности исследованных слоистых структур.