Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут аналитического приборостроения Российской академии наук, 198103 Санкт-Петербург, Россия *Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Люминесцентные свойства квантовых точек InAs/GaAs, полученных методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии

Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Максимов М.В., Леденцов Н.Н.

Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Максимов М.В., Леденцов Н.Н. Люминесцентные свойства квантовых точек InAs/GaAs, полученных методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 912

Аннотация Приводятся результаты по исследованию люминесцентных свойств ансамбля квантовых точек InAs, полученных методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии на сингулярных и вициальных поверхностях GaAs(100). Наибольшая величина ширины линии фотолюминесценции на полувысоте наблюдается в образцах, разориентированных на 3o, что свидетельствует о наибольшем разбросе квантовых точек по размерам в этом случае. Квазиравновесные квантовые точки формируются либо при повышенном времени выдержки образцов в потоке мышьяка, либо при большей величине осажденного индия.