Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603600 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Простой метод восстановления тонкой структуры легирования полупроводников из C-V-измерений в электрохимической ячейке

Шашкин В.И., Каретникова И.Р., Мурель А.В., Нефедов И.М., Шерешевский И.А.

Шашкин В.И., Каретникова И.Р., Мурель А.В., Нефедов И.М., Шерешевский И.А. Простой метод восстановления тонкой структуры легирования полупроводников из C-V-измерений в электрохимической ячейке // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 926

Аннотация Предложен простой метод восстановления тонкой структуры легирования полупроводников из вольт-фарадных измерений при электрохимическом травлении. Метод дает возможность определять профиль легирования непосредственно от поверхности полупроводника и обеспечивает разрешение на масштабах, меньших радиуса дебаевского экранирования. Результаты численных расчетов подтверждают возможность восстановления профиля легирования полупроводников с разрешением на уровне единиц нанометров.