Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияДрогобычский государственный педагогический институт им.И.Франко, 293720 Дрогобыч, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние электрического поля нарелаксацию фотопроводимости вкристаллах n-Hg0.8Cd0.2Te

Вирт И.С.

Вирт И.С. Влияние электрического поля нарелаксацию фотопроводимости вкристаллах n-Hg0.8Cd0.2Te // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 936

Аннотация Исследовано влияние тянущего электрического поля на релаксационные кривые фотопроводимости кристаллов n-Hg0.8Cd0.2Te. Показано, что с увеличением напряженности поля время релаксации медленной компоненты возрастает, а быстрой уменьшается. Уменьшается также и вклад медленной компоненты. Такое поведение затухания фотопроводимости связывается с изменением изгиба энергетических зон в области макродефектов в присутствии электрического поля и с изменением подвода к ним неравновесных носителей заряда.