Профиль » Публикация
Опубликовано
1997-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Расчет уровней размерного квантования в напряженных ZnCdSe/ZnSe квантовых ямах
Максимов М.В., Крестников И.Л., Иванов С.В., Леденцов Н.Н., Сорокин С.В. Расчет уровней размерного квантования в напряженных ZnCdSe/ZnSe квантовых ямах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 939
Аннотация
На основе литературных данных произведена подгонка параметров ZnSe и CdSe для расчета уровней в квантовых ямах ZnCdSe/ZnSe. Показана адекватность модели на примере структур с набором квантовых ям, толщина и состав которых определялись независимыми способами.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален