Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский институт "Исток", 141120 Фрязино, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Зависимость резонансной проводимости симметричных двухбарьерных структур от амплитуды высокочастотного поля

Голант Е.И., Пашковский А.Б.

Голант Е.И., Пашковский А.Б. Зависимость резонансной проводимости симметричных двухбарьерных структур от амплитуды высокочастотного поля // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 950

Аннотация Для симметричной двухбарьерной резонансно-туннельной структуры с высокими тонкими барьерами при бесстолкновительном транспорте электронов на основе решения нестационарного уравнения Шредингера, описывающего резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным полем, найдена аналитическая зависимость проводимости от амплитуды. Показано, что под действием высокочастотного поля с частотойomega и амплитудой, приблизительно соответствующей утроенной ширине резонансного уровня, до половины электронов, проходящих через этот уровень, может переходить на соседний, испуская или поглощая квант энергииhomega.