Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияГосударственный институт редких металлов, 109017 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование пористого кремния иегостарения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей иинфракрасной спектроскопии

Балагуров Л.А., Павлов В.Ф., Петрова Е.А., Боронина Г.П.

Балагуров Л.А., Павлов В.Ф., Петрова Е.А., Боронина Г.П. Исследование пористого кремния иегостарения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей иинфракрасной спектроскопии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 957

Аннотация Пористый кремний p-типа впервые исследован методом рентгеновской рефлектометрии. Для него критический угол полного внешнего отражения и коэффициент отражения в области углов, меньших критического, значительно меньше, чем для c-Si выращенного по методу Чохральского. Критический угол уменьшается при увеличении пористости. Критический угол и коэффициент отражения увеличиваются в процессе старения пористого кремния. Результаты объясняются значительно меньшей электронной плотностью пористого кремния по сравнению с c-Si и микрогеометрией его поверхности, а также их изменением в процессе старения из-за увеличения в нем концентрации атмосферных составляющих, наблюдаемых по инфракрасным спектрам поглощения. Концентрация атмосферных примесей увеличивается при возрастании пористости, причем в сильно пористом материале существенный вклад помимо химически адсорбированного кислорода, по-видимому, дают углерод и вода.