Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Диодные лазеры с раздельным электрическим и оптическим ограничением на основе InAsSb, излучающие в области 3/ 4 мкм

Данилова Т.Н., Данилова А.П., Ершов О.Г., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.

Данилова Т.Н., Данилова А.П., Ершов О.Г., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Диодные лазеры с раздельным электрическим и оптическим ограничением на основе InAsSb, излучающие в области 3/ 4 мкм // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 976

Аннотация Исследованы диодные лазеры на основе InAsSb/InAsSbP с раздельным электрическим и оптическим ограничением, излучающие в области 3/4 мкм. Более высокая рабочая температура лазеров достигается в том случае, если электрическое ограничение осуществляется с помощью гетеропереходов IIтипа. В лазерах этого типа интерфейсная оже-рекомбинация подавляется, экспериментальная плотность тока близка к теоретически рассчитанной для случая преобладания объемной оже-рекомбинации при температуре 180/220 K.