Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия *Институт электронной технологии, Варшава, Польша ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование процесса формирования кислородных преципитатов вкремнии

Антонова И.В., Мисюк А., Попов В.П., Шаймеев С.С.

Антонова И.В., Мисюк А., Попов В.П., Шаймеев С.С. Исследование процесса формирования кислородных преципитатов вкремнии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 998

Аннотация Проведено исследование начальной стадии формирования кислородных преципитатов в кремнии с использованием методов DLTS, селективного травления в инфракрасной спектрометрии. Установлено, что формирование кислородных преципитатов при Ta=600/ 960oC идет путем возникновения локальных областей, обогащенных межузельным кислородом. С ростом времени отжига размеры этих областей уменьшаются, а локальная концентрация кислорода в них возрастает и начиная с некоторой критической концентрации кислорода происходит переход к фазе SiO2. Гидростатическое давление, используемое на стадии формирования, приводит к образованию более мелких преципитатов и ускоряет переход к фазе SiO2.