Профиль » Публикация
Опубликовано
1997-00-00
ОрганизацияМосковский институт электронной техники, 103498 Москва, Россия * Московский авиационный институт, 125871 Москва, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
О возможности повышения термостабильности Si путем еголегирования переходными, либо редкоземельными металлами
Глазов В.М., Потемкин А.Я., Тимошина Г.Г., Михайлова М.С. О возможности повышения термостабильности Si путем еголегирования переходными, либо редкоземельными металлами // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1025
Аннотация
Отмечено, что основной причиной, приводящей к деградации монокристаллов Si после нагрева, являются структурные преобразования, связанные с частичным превращением алмазоподобного Si в кремний со структурой белого олова. Причиной этих превращений, наблюдаемых при высоких давлениях, является возникновение многочисленных очагов концентрации напряжений вследствие анизотропии теплового расширения различно ориентированных микрообъемов кристалла. В этих очагах возможно достижение высоких давлений, необходимых для указанного фазового перехода. Высказано соображение, что предотвращение процесса структурных превращений, приводящих к деградации электрофизических свойств Si, возможно путем легирования его переходными либо редкоземельными металлами, повышающими энергию межатомного взаимодействия и за счет этого уменьшающими коэффициент термического расширения. Выбор легирующих добавок обоснован расчетами энергии связи и зарядовой плотности на основе системы неполяризованных ионных радиусов.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален