Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияЧерновицкий государственный университет им. Ю.Федьковича, 274012 Черновцы, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Механизмы прохождения тока в гетеропереходах теллурид--селенидцинка

Баранюк В.Е., Махний В.П.

Баранюк В.Е., Махний В.П. Механизмы прохождения тока в гетеропереходах теллурид--селенидцинка // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1074

Аннотация Исследованы электрические свойства гетеропереходов туллурид--селенид цинка, полученных методом реакций твердофазного замещения. Установлено, что прямой ток определяется туннельно-рекомбинационными процессами при низких смещениях и диффузией носителей над барьером--- при высоких. Начальные участки обратных ветвей вольт-амперных характеристик описываются в рамках модели туннельного прохождения носителей с участием глубоких уровней. При больших обратных смещениях наблюдается резкое увеличение тока вследствие процессов ударной ионизации.