Библиотека » Публикация (база данных scholar.ru)

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский институт "Исток", 141120 Фрязино, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным электрическим полем в несимметричных двухбарьерных структурах
Голант Е.И., Пашковский А.Б.
Голант Е.И., Пашковский А.Б. Резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным электрическим полем в несимметричных двухбарьерных структурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1077
Аннотация Получены аналитические выражения для волновых функций электронов, малосигнальной высокочастотной проводимости, ширин энергетических уровней (минизон) в несимметричной двухбарьерной структуре с тонкими барьерами, в условиях когерентного туннелирования электронов как строго по центрам энергетических уровней, так и при отклонении их энергии от строго резонансной. Показано, что соответствующим выбором расположения минизон структуры относительно дна зоны проводимости полупроводниковых материалов слева и справа от нее, можно добиться коэффициента прохождения электронов равного 1, а также существенного увеличения интегральной (с учетом распределения падающих на структуру электронов по энергии) высокочастотной проводимости структуры.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален