Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование гетероэпитаксиальных структур &#123;p-3C/n-6H&#125;-SiC

Ледебев А.А., Савкина Н.С., Трегубова А.С., Щеглов М.П.

Ледебев А.А., Савкина Н.С., Трегубова А.С., Щеглов М.П. Исследование гетероэпитаксиальных структур {p-3C/n-6H}-SiC // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1083

Аннотация Проведено исследование параметров гетероэпитаксиальных структур { 3C/6H }-SiC. Гетероэпитаксиальный рост проводился методом сублимационной эпитаксии в открытой системе. Наличие политипа 3C было подтверждено рентгеновскими исследованиями. Проведены исследования вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик и спектров электролюминесценции полученных p-n-структур. Было обнаружено, что в гетерополитипных структурах между p-3C-SiC и n-6H-SiC образовывался тонкий слабо легированный дефектный слой p-6H-SiC, который и определял электрофизические характеристики сформированных диодных структур.