Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияКазанский физико-технический институт Российской академии наук, 420029 Казань, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование пористого кремния, полученного имплантацией ионов криптона и лазерным отжигом

Галяутдинов М.Ф., Курбатова Н.В., Буйнова Э.Ю., Штырков Е.И., Бухараев А.А.

Галяутдинов М.Ф., Курбатова Н.В., Буйнова Э.Ю., Штырков Е.И., Бухараев А.А. Исследование пористого кремния, полученного имплантацией ионов криптона и лазерным отжигом // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1130

Аннотация Эллипсометрическим методом исследован процесс образования мелкопористого слоя, насыщенного атомами инертного газа, в кристаллической решетке кремния, легированного большими дозами криптона, а затем облученного наносекундными лазерными импульсами. Изучено изменение комплексного показателя преломления в этом слое под действием лазерных импульсов разной мощности. С помощью сканирующего силового микроскопа прослежена трансформация пор в зависимости от плотности энергии лазерного отжига и оценены их размеры.