Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФилиал Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова в г.Ульяновске, 432700 Ульяновск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние накоэффициент передачи биполярного транзистора

Булярский С.В., Грушко Н.С., Сомов А.И., Лакалин А.В.

Булярский С.В., Грушко Н.С., Сомов А.И., Лакалин А.В. Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние накоэффициент передачи биполярного транзистора // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1146

Аннотация Учтено влияние рекомбинации в области пространственного заряда эмиттерного перехода на коэффициент передачи биполярного транзистора. Результаты измерений коэффициента передачи транзистора при низком уровне инжекции на некоторых промышленных образцах практически совпадают с расчетными значениями, сделанными по полученным выражениям с учетом глубоких уровней и рекомбинации через них.