Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Термодинамический анализ процесса роста четверных соединений A IIIB V при молекулярно-пучковой эпитаксии на примере соединений GaxIn1-xPyAs1-y

Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Устинов В.М., Копьев П.С.

Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Устинов В.М., Копьев П.С. Термодинамический анализ процесса роста четверных соединений A IIIB V при молекулярно-пучковой эпитаксии на примере соединений GaxIn1-xPyAs1-y // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1153

Аннотация Предложен метод термодинамического описания процесса роста при молекулярно-пучковой эпитаксии четверных соединений AIIIBV с двумя элементами Vгруппы, позволяющий определять параметры роста, необходимые для получения соединения определенного состава. На основе предоженного метода проведен термодинамический анализ процесса роста соединений GaxIn1-xPyAs1-y и GaPyAs1-y.