Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут общей физики Российской академии наук, 117942 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Применение упругого рассеяния света среднего инфракрасного диапазона для исследования процесса внутреннего геттерирования вкремнии, выращенном методом Чохральского

Калинушкин В.П., Бузынин А.Н., Мурин Д.И., Юрьев В.А., Астафьев О.В.

Калинушкин В.П., Бузынин А.Н., Мурин Д.И., Юрьев В.А., Астафьев О.В. Применение упругого рассеяния света среднего инфракрасного диапазона для исследования процесса внутреннего геттерирования вкремнии, выращенном методом Чохральского // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1158

Аннотация Методом малоуглового рассеяния света среднего инфракрасного диапазона выполнено исследование влияния процесса внутреннего геттерирования на крупномасштабные дефекты в монокристаллическом кремнии, выращенном методом Чохральского и легированном бором. Проведена классификация крупномасштабных дефектов в исходном материале и кристаллах, подвергнутых процедуре внутреннего геттерирования. Показана применимость метода малоуглового рассеяния света как для лабораторных исследований, так и для промышленного контроля операций технологического цикла внутреннего геттерирования.