Профиль » Публикация
Опубликовано
1997-00-00
ОрганизацияГосударственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Молекулярный эффект при имплантации легких ионов вполупроводники
Аброян И.А., Никулина Л.М. Молекулярный эффект при имплантации легких ионов вполупроводники // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1164
Аннотация
Исследовано накопление структурных дефектов в Si при имплантации одноатомных и двуатомных ионов азота в эквивалентных условиях, т. е. при одинаковых энергиях в расчете на атом, и плотностях потоков атомов. Молекулярный эффект в накоплении дефектов наблюдался лишь при таких дозах, когда степень повреждения решетки кристалла превышала 0.15. В этих условиях ион N+2 создавал такое же число устойчивых дефектов, как 6ионов N+1. В наших экспериментах (30кэВ для потока N+1 и 60кэВ для N+2 при комнатной температуре) дозы аморфизации равны 3.75· 1015 и 1.25· 1015ион/см2 для N+1 и N+2 соответственно.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален