Библиотека » Публикация (база данных scholar.ru)

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Cree Research Inc., 2810 Meridian Parkway, Suite 176, Durham, NC27713, USA ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Влияния глубоких уровней нарелаксацию тока в 6H-SiC-диодах
Кузнецов Н.И., Edmond J.A
Кузнецов Н.И., Edmond J.A Влияния глубоких уровней нарелаксацию тока в 6H-SiC-диодах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1220
Аннотация Описаны результаты исследования глубоких уровней в p-базе 6H-SiC-диодов. Глубокий уровень неизвестной природы с энергией ионизации Ec-1.45 эВ является центром эффективной рекомбинации неосновных носителей, который контролирует рекомбинационные процессы. Уровень с энергией ионизации Ec-0.16 эВ приписывается к донорной примеси азота. Процессы захвата и термоактивации электронов, связанные с этим уровнем, значительно увеличивают длительность релаксации тока через p-n-переход.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален