Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние электрического поля в слое объемного заряда наэффективность коротковолнового фотоэлектропреобразования вдиодах Шоттки на основе арсенида галлия

Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Оболенский О.И., Поссе Е.А.

Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Оболенский О.И., Поссе Е.А. Влияние электрического поля в слое объемного заряда наэффективность коротковолнового фотоэлектропреобразования вдиодах Шоттки на основе арсенида галлия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1225

Аннотация Экспериментально исследована зависимость квантовой эффективности коротковолнового фотоэффекта от приложенного обратного напряжения в диодах Шоттки на основе GaAs, когда длина поглощения света много меньше ширины области пространственного заряда. Обнаружена сильная зависимость квантовой эффективности фотоэлектропреобразования от величины контактного электрического поля и от энергии фотонов. Полевая зависимость квантовой эффективности объясняется в рамках модели флуктуационных ловушек. Эта модель позволяет также определить коэффициент потерь горячих фотоносителей, который, как оказалось, ступенчато растет с ростом энергии фотонов. Этот эффект объясняется образованием экситонов в X- и L-долинах полупроводника.