Библиотека » Публикация (база данных scholar.ru)

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияСибирский физико-технический институт им. В.Д.Кузнецова, 634050 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Высокотемпературное облучение арсенида галлия
Пешев В.В., Смородинов С.В.
Пешев В.В., Смородинов С.В. Высокотемпературное облучение арсенида галлия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1234
Аннотация Методом нестационарной емкостной спектроскопии изучалась кинетика введения центров P2 и P3 в эпитаксиальных слоях GaAs n-типа при облучении электронами с энергией 4 МэВ в температурном интервале 380/ 550oC. Показано, что скорости введения центров не зависят от температуры в этом интервале. Установлено, что концентрация центров P2 пропорциональна D0.7, а центров P3--- D0.5, где D--- доза облучения.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален