Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияСибирский физико-технический институт им. В.Д.Кузнецова, 634050 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Высокотемпературное облучение арсенида галлия

Пешев В.В., Смородинов С.В.

Пешев В.В., Смородинов С.В. Высокотемпературное облучение арсенида галлия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1234

Аннотация Методом нестационарной емкостной спектроскопии изучалась кинетика введения центров P2 и P3 в эпитаксиальных слоях GaAs n-типа при облучении электронами с энергией 4 МэВ в температурном интервале 380/ 550oC. Показано, что скорости введения центров не зависят от температуры в этом интервале. Установлено, что концентрация центров P2 пропорциональна D0.7, а центров P3--- D0.5, где D--- доза облучения.