Библиотека » Публикация (база данных scholar.ru)

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Роль дефектов в формировании локальных состояний, наведенных атомами, адсорбированными на поверхности полупроводников
Давыдов С.Ю.
Давыдов С.Ю. Роль дефектов в формировании локальных состояний, наведенных атомами, адсорбированными на поверхности полупроводников // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1236
Аннотация В рамках обобщенной зонной модели полупроводника Андерсона--Халдейна рассмотрено влияние квазилокализованных электронных состояний, лежащих в запрещенной зоне, на состояния, наведенные атомами металла, адсорбированными на поверхности полупроводника. Обсуждается формирование барьера Шоттки при малых степенях металлического покрытия. Численные расчеты выполнены для системы металл--p-GaAs(110).

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален