Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияГосударственный университет "Львовская политехника", 290013 Львов, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние внешнего электрического смещения нафотоэлектрические свойства кремниевых MIS/IL-структур

Буджак Я.С., Ерохов В.Ю., Мельник И.И.

Буджак Я.С., Ерохов В.Ю., Мельник И.И. Влияние внешнего электрического смещения нафотоэлектрические свойства кремниевых MIS/IL-структур // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1273

Аннотация Теоретически исследован механизм влияния внешнего электрического смещения на фотоэлектрические свойства структур Al/туннельно-тонкий SiO2/p-Si с индуцированным инверсным слоем. Особенностью рассматриваемой структуры являетс наличие специальной инверсной гребенки, между которой и подложкой прикладывается положительное напряжение. Получены соотношения, выражающие функциональную зависимость параметров структуры и выходных электрических характеристик фотоэлектрических преобразователей на ее основе от величины напряжения смещения. Представлены результаты численных расчетов, иллюстрирующие эффективность использования внешнего электрического смещения для повышения коэффициента полезного действия фотоэлектрических преобразователей на основе структур Al/SiO2/p-Si с индуцированным инверсным слоем.