Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияРоссийский государственный педагогический университет им.А.И.Герцена, 191186 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Релаксационные свойства контакта металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
Аванесян В.Т., Бордовский В.А., Кастро Р.А.
Аванесян В.Т., Бордовский В.А., Кастро Р.А. Релаксационные свойства контакта металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1340
Аннотация Приведены результаты изучения температурной зависимости емкости контакта Al-As2Se2 в области инфранизких частот и оценены значения параметров, характеризующих процессы накопления зарядов.
Ключевые слова публикации:
       
 http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/1997/11/p1340-1341.pdf
Показать статистику
Похожие публикации

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален