Библиотека » Публикация (база данных scholar.ru)

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Поляризационная память в пористом окисленном слое SiC
Данишевский А.М., Рогачев А.Ю., Шуман В.Б., Гук Е.Г.
Данишевский А.М., Рогачев А.Ю., Шуман В.Б., Гук Е.Г. Поляризационная память в пористом окисленном слое SiC // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1387
Аннотация Обнаружена поляризация и поляризационная память импульсной фотолюминесценции на пористых слоях, полученных на микрокристаллических пленках кубического SiC, осажденных на кремниевые подложки. Пористый слой подвергнут электрохимическому окислению. Предложена качественная модель, поясняющая механизм возникновения поляризации фотолюминесценции при линейно поляризованном возбуждении.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален