Профиль » Публикация
Опубликовано
1997-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Перестройка током длины волны излучения мезаполосковых низкопороговых лазеров на основе InAsSb / InAsSbP двойных гетероструктур, излучающих в области 3.3 мкм
Данилова Т.Н., Данилова А.П., Ершов О.Г., Именков А.Н., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Перестройка током длины волны излучения мезаполосковых низкопороговых лазеров на основе InAsSb / InAsSbP двойных гетероструктур, излучающих в области 3.3 мкм // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1392
Аннотация
Диодные мезаполосковые лазеры на основе InAsSb/InAsSbP двойных гетероструктур с низким пороговым током (~12 мА) и узкой шириной полоска (~10 мкм) исследовались в большом интервале токов вплоть до 5 пороговых. Обнаружено, что в таких лазерах моды в измеренном интервале токов смещаются в коротковолновую сторону почти на величину межмодового расстояния вследствие возрастания концентрации неравновесных носителей в активной области. Скорость смещения мод с током разная в разных интервалах токов и зависит от степени одномодовости лазерного спектра.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален