Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние плазменной обработки поверхности карбида кремния нахарактеристики полевых транзисторов со скрытым p-n-затвором

Иванов П.А., Коньков О.И., Пантелеев В.Н., Самсонова Т.П.

Иванов П.А., Коньков О.И., Пантелеев В.Н., Самсонова Т.П. Влияние плазменной обработки поверхности карбида кремния нахарактеристики полевых транзисторов со скрытым p-n-затвором // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1404

Аннотация Для SiC полевых транзисторов со скрытым p-n-затвором показана возможность стабилизации зарядового состояния поверхности канала, выступающей в таких транзисторах в роли дополнительного "плавающего" затвора, путем ее обработки в водородной плазме при комнатной температуре. Продемонстрировано, что необходимость такой стабилизации особенно актуальна для транзисторов с относительно низкой концентрацией доноров в канале (высоковольтных), в которых поверхностный заряд может сильно модулироваться напряжением стока из-за влияния короткоканальных эффектов.