Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 Организация1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия 2Физический институт им. П.Н.Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия 3Государственный институт редкометаллической промышленности, 109017 М ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Совместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную илегированную индием подложки GaAs

Дымова Н.Н., Куницын А.Е., Марков А.В., Чалдышев В.В.

Дымова Н.Н., Куницын А.Е., Марков А.В., Чалдышев В.В. Совместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную илегированную индием подложки GaAs // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1409

Аннотация Исследованы электрические свойства и низкотемпературная (4.2 K) фотолюминесценция сильнолегированных слоев n-типа проводимости, полученных имплантацией ионов кремния и кремния совместно с фосфором в нелегированные и легированные индием полуизолирующие подложкир GaAs, выращенные методом Чохральского. Показано, что совместная имплантация Si + P приводит к подавлению глубоких уровней в анионной подрешетке, увеличивает степень активации доноров и позволяет получить более резкий профиль распределения внедренной примеси в подложках обоих типов. Использование подложек GaAs, легированных изовалентной примесью In, не сказывается на степени активации доноров, но способствует отжигу радиационных дефектов.