Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Свойства диодных структур на основе p-PbTe(Ga)

Акимов Б.А., Богданов Е.В., Богоявленский В.А., Рябова Л.И., Штанов В.И.

Акимов Б.А., Богданов Е.В., Богоявленский В.А., Рябова Л.И., Штанов В.И. Свойства диодных структур на основе p-PbTe(Ga) // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1431

Аннотация Монкристаллы p-PbTe(Ga) с концентрацией галлия, недостаточной для полной компенсации действия неконтролируемых примесей и собственных дефектов решетки и реализации эффекта пиннинга уровня Ферми (УФ), были использованы для создания диодных структур In контакт--[p-PbTe(Ga)]--Pt контакт. Обнаружено, что свойства полученных структур имеют ряд отличительных особенностей по сравнению с барьерами Шоттки In--[p-PbTe]. Вольт-амперные характеристики (ВАХ) исследованных структур не описываются известным соотношением теории Шоттки не только в области обратных, но и при прямых смещениях. При подсветке тепловым источником излучения в области температур T