Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияМосковский институт электронной техники (Технический университет), 103498 Москва, Россия *Институт микроэлектроники Российской академии наук, 150007 Ярославль, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Метастабильность и релаксационные процессы ваморфном гидрогенизированном кремнии

Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Мейтин М.Н., Сазонов А.Ю., Бердников А.Е., Попов А.А.

Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Мейтин М.Н., Сазонов А.Ю., Бердников А.Е., Попов А.А. Метастабильность и релаксационные процессы ваморфном гидрогенизированном кремнии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1449

Аннотация Проведено исследование кинетики структурной релаксации в аморфном гидрогенизированном кремнии a-Si : H, осажденном различными методами, с помощью дифференциальной сканирующей калориметрии. Полученные экспериментальные результаты были использованы для анализа природы метастабильных состояний в a-Si : H и исследования связи между структурной релаксацией и светоиндуцированной метастабильностью (эффект Стеблера--Вронского).