Библиотека » Публикация (база данных scholar.ru)

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияМосковский институт электронной техники (Технический университет), 103498 Москва, Россия *Институт микроэлектроники Российской академии наук, 150007 Ярославль, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Метастабильность и релаксационные процессы ваморфном гидрогенизированном кремнии
Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Мейтин М.Н., Сазонов А.Ю., Бердников А.Е., Попов А.А.
Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Мейтин М.Н., Сазонов А.Ю., Бердников А.Е., Попов А.А. Метастабильность и релаксационные процессы ваморфном гидрогенизированном кремнии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1449
Аннотация Проведено исследование кинетики структурной релаксации в аморфном гидрогенизированном кремнии a-Si : H, осажденном различными методами, с помощью дифференциальной сканирующей калориметрии. Полученные экспериментальные результаты были использованы для анализа природы метастабильных состояний в a-Si : H и исследования связи между структурной релаксацией и светоиндуцированной метастабильностью (эффект Стеблера--Вронского).

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален