Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В. Ломоносова, Физический факультет, 119899 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоиндуцированные процессы в пленках a-Si : H приповышенных температурах

Курова И.А., Ларина Э.В., Ормонт Н.Н., Сенашенко Д.В.

Курова И.А., Ларина Э.В., Ормонт Н.Н., Сенашенко Д.В. Фотоиндуцированные процессы в пленках a-Si : H приповышенных температурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1455

Аннотация Обнаружено, что при температурах T>120oC кинетика изменения темновой проводимости (sigmad) нелегированных и легированных бором пленок a-Si : H во время и после освещения немонотонна: имеются быстрый и медленный процессы изменения sigmad разного знака. Изменением длительности и интенсивности освещения или температуры пленки можно выделить быстрый или медленный процессы релаксации sigmad, которые описываются растянутой экспонентой. Немонотонная релаксация sigmad описывается суммой двух растянутых экспонент, параметры которых tau,beta зависят от характеристик пленки, а также от температуры, времени и интенсивности освещения. Обсуждается природа немонотонной релаксации.