Профиль » Публикация

Аннотация По методу эффекта поля в температурном интервале T=77/ 300 K исследована эффективная плотность мелких пограничных состояний Nss в короткоканальных (0.5/ 5 мкм) транзисторах типа Si-MNOS и полевых--- на основе GaAs с повышенной (более1012 см-2) концентрацией зарядов, встроенных в подзатворном диэлектрике. Обнаружена особенность Nss в виде пика, выраженная тем более отчетливо, чем ниже температура, выше концентрация встроенного заряда и короче затвор. Безотносительно к изменению перечисленных параметров, а также толщины подзатворного диэлектрика и отношения длины канала к его ширине этот пик проявляется при одних и тех же значениях проводимости каналов G~ q2/h. При этом энергетическая глубина пика плотности состояний (~ 40/ 120 мэВ) изменяется пропорциональноT, что выходит за рамки представлений о пограничных состояниях, обусловленных как сильным флуктуационным потенциалом, так и дефектами и ловушками. Результаты интерпретируются в рамках перколяционной теории проводимости сильно разупорядоченных систем. Представляется, что особенность связана с переходом от проводимости двумерной эффективной среды, имеющей место в условиях электронного экранирования флуктуационного потенциала, к проводимости по квазиодномерному потенциальному желобу, образуемому в условиях сильного флуктуационного потенциала локальными областями с пониженным потенциалом.