Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Высокоразрешающие рентгенодифракционные исследования сверхрешеток InAs--GaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией принизкой температуре

Фалеев Н.Н., Чалдышев В.В., Куницын А.Е., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Третьяков В.В.

Фалеев Н.Н., Чалдышев В.В., Куницын А.Е., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Третьяков В.В. Высокоразрешающие рентгенодифракционные исследования сверхрешеток InAs--GaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией принизкой температуре // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 24

Аннотация Методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии исследованы сверхрешетки InAs--GaAs, выращенные молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре. Показано, что, несмотря на очень высокую концентрацию точечных дефектов, обусловленных наличием избыточного мышьяка, исходная сверхрешетка обладает высоким кристаллическим совершенством. Анализ изменений рентгенодифракционных кривых показал, что высокотемпературный отжиг, сопровождающийся образованием кластеров As и диффузией индия, приводит к значительным структурным преобразованиям в матрице GaAs и на интерфейсах.