Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

О емкостном профилировании вблизи изотипного гетероперехода

Зубков В.И., Мельник М.А., Соломонов А.В.

Зубков В.И., Мельник М.А., Соломонов А.В. О емкостном профилировании вблизи изотипного гетероперехода // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 61

Аннотация Предлагается метод аккуратного определения профиля основных носителей заряда вблизи изотипного гетероперехода, учитывающий различную величину диэлектрической проницаемости по разные стороны гетерограницы. Метод основан на коррекции концентрацинного профиля носителей, первоначально рассчитанного по экспериментальной вольт-фарадной характеристике.