Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Соразмерные и несоразмерные фазыIn наповерхности (111)AInAs

Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Мараховка И.И., Петренко И.П.

Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Мараховка И.И., Петренко И.П. Соразмерные и несоразмерные фазыIn наповерхности (111)AInAs // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 89

Аннотация В данной работе исследованы адсорбционные фазы In на поверхности (111)A InAs. Обнаружены три фазы: соразмерные (2x 2)a, (1x1) и несоразмерная (0.77x0.77). Предложена структурная модель несоразмерной фазы (0.77x0.77) как плотноупакованный слой (111) кристалла In (fcc), находящийся в эпитаксиальном соотношении с подложкой InAs <110>In||<110>InAs. Проанализированы причины реализации структуры fcc. Показано, что несоразмерная фаза пространственно модулирована пориодическим потенциалом подложки. Сравнительный анализ наших данных по адсорбции In на (111) InAs и литературных данных по адсорбции In на (111) Si, Ge выявил важную роль релаксации упругих напряжений в образовании двумерных, индуцированных адсорбцией сверхструктур.