Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им. М.В.Ломоносова, 119889 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Релаксация созданного освещением метастабильного состояния a-Si : H p-типа, легированного бором

Казанский А.Г., Ларина Э.В.

Казанский А.Г., Ларина Э.В. Релаксация созданного освещением метастабильного состояния a-Si : H p-типа, легированного бором // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 117

Аннотация Исследована релаксация темновой проводимости пленок a-Si : H, легированных бором, после их освещения в интервале температур 360-470 K. Показано, что выбор условий освещения пленок (времени освещения и температуры) позволяет на основании изучения релаксации проводимости независимо исследовать релаксацию концентрации созданных светом метастабильных дефектов типа оборванных связей и релаксацию концентрации метастабильных состояний, связанных с примесными атомами. Как в первом, так и во втором случае релаксация происходит по закону растянутой экспоненты. Определены основные параметры, характеризующие релаксацию, и их температурные зависимости. Полученные результаты интерпретируются в рамках модели распределения энергий отжига, созданных светом метастабильных состояний.